圓晶切割（劃片）的過程中最容易發(fā)生的問題：空切和碎屑

㈠ 空切

　　空切發(fā)生的原因：

　　◆ 粘著面不清潔

※解決方法：

　　一般使用者遇到空切的問題時，通常都只考慮到粘力不足，不?？紤]到圓晶片背面與基板貼合面的狀態(tài)，清洗貼合面有助于增加膠帶的貼合面，通常使用的清洗方法大致有兩種：

　?、?超聲波清洗

　?、?電解清洗

　　◆ 膠帶與被粘著面粘力不足。

 ※分析：

　　通常粘力=（膠帶與晶片的接觸面積）×（膠帶對晶圓或基板背面的粘度）

　　所以當(dāng)晶片越小，或是膠帶粘度低時會產(chǎn)生空切的機(jī)會就越多。

針對空切的解決方法：

　?、?選用粘度較大而解卷力又不太高的膠帶。

　?、?增加膠帶與晶片背面的接觸面積（貼合之后固化）。

為了增加膠帶與晶圓的接觸面積，可分為預(yù)固化（預(yù)熱）與貼合之后烘烤兩種：

預(yù)固化：在貼合之前利用晶圓夾具臺加溫，達(dá)到膠帶貼合到晶圓時膠帶的膠層稍微軟化，達(dá)到較好的貼合效果。

貼合之后的烘烤：預(yù)固化的效果沒有達(dá)到的需要的粘力，所以用此方法，預(yù)防在劃片過程中發(fā)生空切現(xiàn)象。

　　晶圓由于在背面研磨后有TTV值的存在，并非百分之百的平面，用烤箱烘烤使膠層軟化，以達(dá)到填充晶圓背面的微小凹面，使膠帶與晶圓背面的接觸面增加，以達(dá)到增加粘力的效果。

　當(dāng)膠層溫度由由低到高時，膠層的粘度變小，但膠的流動性變大，使膠層比較容易滲入不平整的晶圓背面，以增加接觸面積，當(dāng)晶圓要切割之前，膠層又回到原來的溫度，因為膠對溫度的變化是一種不可逆的過程。

　　由于并非長時間烘烤，粘度并不會大幅改變，主要改變粘力的因素在于膠帶與晶圓的接觸面積的增加。

　　用烘烤的方法增加粘力，基本上有一些限制，當(dāng)膠帶貼合到矽晶圓的背面后以60 ℃熱源烘烤三分鐘其膠帶與晶圓的接觸面積已經(jīng)達(dá)到80%以上，此時若再繼續(xù)烘烤十分鐘最多增加10%，所以我們可以得出結(jié)論，雖然烤的越久，膠帶與晶圓的接觸面積增加越多所以越粘，但后面的烘烤時間也會越?jīng)]效率。

　　烘烤的目的就是要增加粘性，對解決空切而言當(dāng)然越粘越好，但對于晶片粘合而言， 膠帶越粘，頂針的力量就越大，對晶圓背面留下的傷痕的機(jī)會也越大，所以建議使用晶圓切割膠帶時，如果晶片的尺寸小于2mm×2mm，或是有如上述頂針刮痕的問題，建議使用UV膜膠帶。

㈡ 碎屑

　　碎屑大約可分為：

(1)上面碎屑(2)背面碎屑(3)邊角碎屑(4)破裂碎屑

　　發(fā)生碎屑的原因大致可分為三大因素：

　　▲刀具因素  ▲晶圓材料的因素  ▲膠帶因素

　　▲ 刀具因素

　?、?nbsp;切割速度越快

　?、?刀具主軸轉(zhuǎn)速越快

　?、?晶片越小

　?、?DI 水噴的越少

　　▲ 晶圓材料的因素

　?、?有鈍化的晶圓會比鏡面晶圓較容易發(fā)生碎屑；

　?、?較薄的晶圓較容易發(fā)生碎屑；

 ※這里主要針對膠帶因素來講講：

　　▲ 膠帶因素

　　1、碎屑的位置：

　　一般碎屑發(fā)生時應(yīng)該都會在晶片的同一邊，對晶片而言，第4個切割邊常是最容易發(fā)生碎屑的地方。

　　主要原因為：

(1)其切割地方的前方已經(jīng)存在切割線。

　　(2) 對晶片而言,切割邊就是最后一個支撐邊,如果沒有很優(yōu)良的膠帶做為切割平臺, 晶圓很容易發(fā)生碎屑。

　　2、膠帶的制造誤差

　　制造誤差越小，膠帶的表面越平整，碎屑的問題就越小。

　　解決方法：如果使用一般的膠帶，那么建議使用電子級的膠帶。

　　3、刀具切入膠帶的深度

　　基本上刀具穿晶圓后，切入膠帶的深度越大，越不容易碎屑，但是也不能切的太深。

　　※解決方法：

　　 ⊙ 使用膠帶厚度較厚，同樣是PVC基材的膠帶。

　　 ⊙ 使用相同厚度的膠帶，但其基材必須為不可擴(kuò)展的膠帶。

　　 ⊙ 切割平臺

　　圓晶切割(劃片)時會碎屑的現(xiàn)象，除了以上原因外，最重要的原因在于劃片過程中如何保持晶片不受移動是非常重要的，膠層太軟，容易使晶片在劃片過程中晃動而產(chǎn)生碎屑。

　　因為膠層緊貼著晶圓，在劃片過程中，膠層的作用就等于的切割平臺。所以提高膠層硬度，使切割平臺夠硬，碎屑問題就會改善。