晶圓封裝DAF膜

2021-09-06 13:49:23

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詳細(xì)介紹：

DAF切割膠帶（DAF膜）

要了解芯片封裝DAF膜（半導(dǎo)體切割膠帶），首先得先從半導(dǎo)體晶圓開始

1.什么是半導(dǎo)體晶圓?

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋亲盍餍械陌雽?dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果，它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進(jìn)行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能僅包含一種半導(dǎo)體材料或多達(dá)整個電路，例如集成電路計(jì)算機(jī)處理器。

劃刻并切割用于生產(chǎn)電子元件（如二極管，晶體管和集成電路）的半導(dǎo)體晶圓，以生產(chǎn)小晶粒。這說明了為什么芯片具有類似圖案的XY形成，這些圖案由芯片承載并且實(shí)際上包含多達(dá)整個電子電路。在生產(chǎn)線的后期，這些管芯將安裝在引線框架上，準(zhǔn)備將小的金屬線從管芯粘結(jié)到集成電路的引腳或引腳中。

2. 如何標(biāo)識和測試晶圓？

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會使用自動步進(jìn)測試儀來測試它所攜帶的眾多芯片，這些測試儀將測試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵，激勵和讀取相關(guān)的測試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫环庋b到最終的組件或集成電路中，而只會在最終測試時被拒絕。一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。

半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，一般使用：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。

daf膜(dieattachfilm，晶片黏結(jié)薄膜)是在芯片封裝過程中常用到的關(guān)鍵材料。daf膜用于在芯片封裝過程中雷射切割時，晶片可一起切割與分離，進(jìn)行剝離，使切割完后的晶片(die)，都還可粘著在薄膜上，不會因切割而造成散亂排列。晶片粘接過程中，通過吸嘴吸片后，通過daf膜粘接在基板上。

現(xiàn)有的daf膜包括一層膠面、二層膠面和中間層高導(dǎo)熱樹脂層，一層膠面與芯片粘接，二層膠面與基板粘接。在裝片過程中手設(shè)備、治具等因素的影響，很難控制芯片保持水平。例如： DAF膜,半導(dǎo)體切割膠帶,晶圓切割膠帶如圖所示，由于吸嘴吸片后，芯片22通過daf膜11粘接在基板33上，在裝片過程中，吸嘴與芯片局部接觸時施壓力f給芯片導(dǎo)致芯片受力不均勻，導(dǎo)致芯片和daf膜之間發(fā)生傾斜，影響芯片封裝質(zhì)量。深圳市文鳴興科技有限公司目前生產(chǎn)加工的DAF膠帶在很多半導(dǎo)體加工生產(chǎn)商中贏得了良好的信譽(yù)，不只是價格在國際上有優(yōu)勢，更重要的是使用中比其他國際大品牌更穩(wěn)定。

切割用粘著膠帶（晶圓膠帶、半導(dǎo)體晶圓膠帶、DAF膠帶）的制造方法以及半導(dǎo)體芯片的制造方法,即使在貼付于半導(dǎo)體元件用基板的活性面時,也易于剝?nèi)“雽?dǎo)體芯片.該切割用粘著膠帶(1)具有基材(2)和在基材(2)的至少一個表面?zhèn)仍O(shè)置的粘著劑層(3),粘著劑層(3)至少具備具有羥基,羧基中的任一種作為官能團(tuán)的丙烯酸酯系共聚物,重均分子量Mw為500以上6000以下且分子中具有3個以上放射線聚合性碳碳雙鍵并且羥值為3mg KOH/g以下的放射線固化性低聚物,以及與丙烯酸酯系共聚物所具有的官能團(tuán)反應(yīng)的交聯(lián)劑.

備注：資料詳見附件！

AWP3 series TDS(20190918).pdf