晶片粘結(jié)薄膜也叫DAF膜，目的是在雷射切割時(shí)，晶片可一起切割與分離，進(jìn)行剝離，使切割完后的晶片(Die)，都還可粘著在薄膜上，不會(huì)因切割而造成散亂排列。

無論晶片尺寸如何，都可使晶元分離。還在晶片間提供卓越的膨脹和保存特性，這有助于，從而簡(jiǎn)化客戶的處理流程。

除了在高速或高拉膨脹條件下，晶片黏結(jié)薄膜承受重負(fù)載時(shí)不會(huì)斷裂外，膨脹分離切割膠帶還提供無任何內(nèi)部伸展的均勻膨脹。

特點(diǎn)：

1. 優(yōu)異的導(dǎo)電性與導(dǎo)熱性。

2. 可搭配先進(jìn)切割制程, 如DBG 與 SDBG:

3. 優(yōu)異的剝除性能。

4. 優(yōu)異的晶片裁切性能。

5. 黏著性強(qiáng)，可用于高速晶圓貼覆處理。

6. 可配合UV型或非UV型切割膠布

7. 優(yōu)良的作業(yè)性, 無晶片頂取問題

8. 優(yōu)良的覆線與表面填覆能力

切割用粘著膠帶（晶圓膠帶、半導(dǎo)體晶圓膠帶、DAF膠帶）的制造方法以及半導(dǎo)體芯片的制造方法,即使在貼付于半導(dǎo)體元件用基板的活性面時(shí),也易于剝?nèi)“雽?dǎo)體芯片.該切割用粘著膠帶(1)具有基材(2)和在基材(2)的至少一個(gè)表面?zhèn)仍O(shè)置的粘著劑層(3),粘著劑層(3)至少具備具有羥基,羧基中的任一種作為官能團(tuán)的丙烯酸酯系共聚物,重均分子量Mw為500以上6000以下且分子中具有3個(gè)以上放射線聚合性碳碳雙鍵并且羥值為3mg KOH/g以下的放射線固化性低聚物,以及與丙烯酸酯系共聚物所具有的官能團(tuán)反應(yīng)的交聯(lián)劑.

深圳市文鳴興科技有限公司攜手國(guó)際半導(dǎo)體薄膜膠帶廠商一起致力于DAF膜的研發(fā)生產(chǎn)，目前在國(guó)內(nèi)取得了半導(dǎo)體封裝客戶的好評(píng)。

備注：資料詳見附件！

AWP3 series TDS(20190918).pdf

Introduction of DAF for fingerprint sensor (20180109, SK Solution).pdf

Introduction of AMC DAF (20190308).pdf

Introduction of AMC DAF for FPS (20180222).pdf